Grubun çip üretim bölümü olan Samsung Foundry, 2025 yılından itibaren ilk nominal 2 nanometre prosesiyle kendi seri üretimine başlamayı planlıyor. Ancak SF2 adı verilen süreçte kaç tane 2 nm'nin var olduğu henüz bilinmiyor.
Duyuru
Bir Samsung sözcüsü Anandtech'e bunun yeniden markalanmış bir üretim teknolojisi olduğunu söyledi. Daha önce SF2'nin, SF3'ün geliştirilmiş bir versiyonu olan SF3P olarak adlandırılması gerekiyordu. Bu nedenle iyileştirmeler yönetilebilir: Haziran 2023'te SF2 duyurulduğunda Samsung, daha hızlı transistör devresi sayesinde %12 daha yüksek performans talep etti. Alternatif olarak aynı performansla elektrik tüketimi %25 oranında azalır. Transistör yoğunluğu yalnızca birkaç yüzde puan artar.
SF3 ve SF2 karşılaştırması da yanlış çünkü Samsung'un 3nm üretim teknolojisine sahip bir çip henüz bilinmiyor. Sözleşmeli çip üreticisi, 2022 yazında geçit transistörleri olarak adlandırılan seri üretime geçeceğini duyurdu ancak talep pek yüksek görünmüyor. Aynı ada sahip olmasına rağmen Samsung'un üretim süreçlerinin TSMC'ninkinden daha düşük olduğu değerlendiriliyor.
Samsung Foundry birkaç SF2 sürecini başlatmayı planlıyor. SF2Z yeni teknolojiyi iktidara getiriyor.
(Resim: Samsung dökümhanesi)
Alt güç kaynağı da Samsung Foundry
Samsung Foundry, 2027 yılına kadar, örneğin yüksek performanslı (otomotiv) işlemciler, hızlandırıcılar ve çipler için dört SF2 çeşidini daha piyasaya sürmek istiyor. Çip üreticisinin 2027'de SF2Z ile büyük bir yenilik sunması bekleniyor: arka taraftan güç dağıtımı, yani silikon çipteki transistörlerin alt tarafına güç verilmesi.
Samsung, benzer teknolojiyi zaten duyurmuş olan rakipleri Intel Foundry ve TSMC'yi takip ediyor. Intel tüm bu gücü via olarak adlandırıyor ve bu yıl onları 20A süreciyle tanıştırmak istiyor. TSMC'nin 2026'da A16 ile Super Power Rail olarak piyasaya sürmesi bekleniyor.
Şimdiye kadar enerji, çiplerin üzerindeki metal katmanlar aracılığıyla sağlanıyordu. Transistör sinyallerini bağlayan metal katmanlar da burada bulunur. Transistörlerin sayısı ve boyutları arttıkça, sinyal ve akım yolları birbirine daha fazla müdahale eder. Bu nedenle arka güç kaynağı kablolama için daha fazla alan yaratır.
Samsung ayrıca 2027'de SF1.4 teknolojisine sahip, ancak görünüşe göre arkadan güç dağıtımı olmayan yarı iletkenler üretmek istiyor. Müşteriler daha sonra daha iyi transistörler mi yoksa alt taraftaki güç kaynağının faydalarını mı istediklerine karar vermelidir.
(mma)
Haberin Sonu
Duyuru
Bir Samsung sözcüsü Anandtech'e bunun yeniden markalanmış bir üretim teknolojisi olduğunu söyledi. Daha önce SF2'nin, SF3'ün geliştirilmiş bir versiyonu olan SF3P olarak adlandırılması gerekiyordu. Bu nedenle iyileştirmeler yönetilebilir: Haziran 2023'te SF2 duyurulduğunda Samsung, daha hızlı transistör devresi sayesinde %12 daha yüksek performans talep etti. Alternatif olarak aynı performansla elektrik tüketimi %25 oranında azalır. Transistör yoğunluğu yalnızca birkaç yüzde puan artar.
SF3 ve SF2 karşılaştırması da yanlış çünkü Samsung'un 3nm üretim teknolojisine sahip bir çip henüz bilinmiyor. Sözleşmeli çip üreticisi, 2022 yazında geçit transistörleri olarak adlandırılan seri üretime geçeceğini duyurdu ancak talep pek yüksek görünmüyor. Aynı ada sahip olmasına rağmen Samsung'un üretim süreçlerinin TSMC'ninkinden daha düşük olduğu değerlendiriliyor.
Samsung Foundry birkaç SF2 sürecini başlatmayı planlıyor. SF2Z yeni teknolojiyi iktidara getiriyor.
(Resim: Samsung dökümhanesi)
Alt güç kaynağı da Samsung Foundry
Samsung Foundry, 2027 yılına kadar, örneğin yüksek performanslı (otomotiv) işlemciler, hızlandırıcılar ve çipler için dört SF2 çeşidini daha piyasaya sürmek istiyor. Çip üreticisinin 2027'de SF2Z ile büyük bir yenilik sunması bekleniyor: arka taraftan güç dağıtımı, yani silikon çipteki transistörlerin alt tarafına güç verilmesi.
Samsung, benzer teknolojiyi zaten duyurmuş olan rakipleri Intel Foundry ve TSMC'yi takip ediyor. Intel tüm bu gücü via olarak adlandırıyor ve bu yıl onları 20A süreciyle tanıştırmak istiyor. TSMC'nin 2026'da A16 ile Super Power Rail olarak piyasaya sürmesi bekleniyor.
Şimdiye kadar enerji, çiplerin üzerindeki metal katmanlar aracılığıyla sağlanıyordu. Transistör sinyallerini bağlayan metal katmanlar da burada bulunur. Transistörlerin sayısı ve boyutları arttıkça, sinyal ve akım yolları birbirine daha fazla müdahale eder. Bu nedenle arka güç kaynağı kablolama için daha fazla alan yaratır.
Samsung ayrıca 2027'de SF1.4 teknolojisine sahip, ancak görünüşe göre arkadan güç dağıtımı olmayan yarı iletkenler üretmek istiyor. Müşteriler daha sonra daha iyi transistörler mi yoksa alt taraftaki güç kaynağının faydalarını mı istediklerine karar vermelidir.
(mma)
Haberin Sonu